Подразделение Wolfspeed компании Cree представило два новых СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN).

Первый транзистор, CG2H30070F, имеет рабочее напряжение 28 В и мощность 70 Вт, второй — CGHV40180 — напряжение 50 В и мощность 180 Вт. Оба представляют собой согласованные транзисторы, при этом CG2H30070F предназначен для усилителей мощности в диапазоне частот от 500 МГц до 3000 МГц, а CGHV40180 для разработки изделий в диапазоне частот до 1000 МГц.

Приборы найдут применение в устройствах для коммуникаций, радиоэлектроники, радиолокации, а также в средствах для обеспечения общественной безопасности. Например, транзистор CG2H30070F может успешно применяться в оборудовании для противодействия терроризму, в решениях для обнаружения самодельных взрывных устройств в местах скопления людей, где нужна непрерывная выходная мощность в мгновенном диапазоне частот. Рабочее напряжение 28 В означает, что усилитель может работать от батареи, а значит идеально подходит для переносных устройств.

Транзистор CG2H30070F на основе GaN согласован по входу, что позволяет обеспечить максимально возможную мгновенную широкополосную связь в диапазоне 0,5–3,0 ГГц. Модель CGHV40180 — тоже согласованный по входу HEMT на основе GaN, что позволяет поддерживать максимально возможную мгновенную широкополосную связь в диапазоне DC–2,0 ГГц. Это достигается за счет применения материала GaN, который обладает лучшими свойствами по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs), в частности, более высоким напряжением пробоя, более высокую скорость дрейфа электронов, а также более высокую теплопроводность. HEMT на основе GaN также обеспечивают большую плотность мощности и более широкие полосы пропускания по сравнению с транзисторами на основе Si и GaAs. Новинки выполнены в двухвыводном металлокерамическом корпусе, что обеспечивает оптимальные электрические и тепловые характеристики.

Получить подробную информацию о новых транзисторах Wolfspeed, а также заказать их, можно у специалистов ПРОЧИП — официального дистрибьютора продукции компании на территории России и стран СНГ. Образцы уже доступны для заказа, массовое производство Wolfspeed планирует начать в первом квартале 2018 года.

Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.

На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.