Разработчики подразделения Wolfspeed компании Cree представили новое семейство СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с напряжением 28 В (28 V GaN HEMT), которые могут работать в расширенном (по сравнению с предыдущими сериями) диапазоне частот — до 8 ГГц. Данные транзисторы имеют более высокие значения эффективности и коэффициента усиления, а также лучшую в своем классе надежность.

Новое семейство 28 V GaN HEMT изготовлено на основе разработанного и проверенного специалистами Wolfspeed технологического процесса выращивания транзисторных структур на основе нитрида галлия на карбиде кремния с толщиной затвора 0,25 мкм (0.25 µm GaN-on-SiC). Дизайн посадочных мест его корпусов  соответствует семействам предыдущего поколения, изготовленным на основе схожего технологического процесса с толщиной затвора 0,4 мкм, что позволит инженерам использовать новые транзисторы как прямую замену транзисторов предыдущего поколения. Доступное в двух типах — корпусированном виде (серия CG2H400) и в виде кристаллов (серия CG2H800) — семейство 28V GaN HEMT позволяет увеличить рабочий диапазон частот на 33% — с 6 ГГц до 8 ГГц — при этом обеспечивает повышение эффективности от 5% до 10% и дополнительное увеличение коэффициента усиления от 1,5 дБ до 2 дБ по сравнению с более ранними поколениями приборов Wolfspeed.

Благодаря высокой эффективности — до 70% при значении мощности P_SAT — и увеличенной ширине полосы транзисторы идеальны для применения в мощных СВЧ-приборах для военных систем связи, радаров (УВЧ, L-, S-, C- и X-диапазонов), радиоэлектронной борьбы (РЭБ) и коммерческих СВЧ-изделий для промышленности, медицины и научных исследований.

По словам одного из руководителей подразделения Wolfspeed, переход на проверенный технологический процесс 0.25 µm GaN-on-SiC позволит компании значительно улучшить характеристики нового поколения транзисторов. Сохранение у новых транзисторов форм-фактора предыдущих поколений дает инженерам возможность быстро и легко повысить качество разрабатываемых изделий, например, СВЧ-усилителей.

Семейства корпусированных транзисторов и кристаллов

Серия CG2H400 включает корпусированные несогласованные приборы 28 V GaN HEMT в корпусах для монтажа «под винт» (screw-down flange) или пайку (solder-down pill):

Серия CG2H800 включает кристаллы несогласованных транзисторов:

По сравнению с аналогичными приборами на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), приборы на основе технологического процесса GaN-on-SiC компании Wolfspeed имеют более высокие значения ключевых параметров, так как напряжение пробоя, рабочей температуры, эффективность, теплопроводность, плотность мощности и ширины рабочей полосы. Указанные параметры очень важны для разработки более легких и эффективных СВЧ-изделий малого размера. С помощью СВЧ-приборов GaN-on-SiC компании Wolfspeed можно создать следующие поколения широкополосных усилителей для промышленности, медицины, научных исследований, а также для стратегических применений. Также возможна разработка нового поколения усилителей для различных видов связи, включая спутниковую и сотовую связь, систем передачи данных и измерительного оборудования и т.д.

Более подробную информацию о новом поколении транзисторов Wolfspeed можно получить у специалистов ПРОЧИП — официального дистрибьютора продукции компании  на территории России и стран СНГ.